自營(yíng)實(shí)驗(yàn)室

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實(shí)驗(yàn)室環(huán)境質(zhì)量保證檢測(cè)設(shè)備檢驗(yàn)項(xiàng)目和費(fèi)用分析案例

實(shí)驗(yàn)室環(huán)境

按照IPC J-STD-033B和MIL-D-3464E的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求，對(duì)實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的溫度和濕度進(jìn)行了嚴(yán)格管控;按照J(rèn)EDECJS-001-2017的標(biāo)準(zhǔn)，從地板到貨架、從測(cè)試臺(tái)到工作臺(tái)，從拆包到檢驗(yàn)等區(qū)域和過(guò)程均做了防靜電措施，保證良好的防靜電環(huán)境條件。

實(shí)驗(yàn)室依據(jù)&標(biāo)準(zhǔn)：AS6081、IDEA-STD-1010-B、IPC-A-610D等

質(zhì)量保證

: ISO 9001:2015

: 職業(yè)健康安全管理體系證書(shū)

: 環(huán)境管理體系認(rèn)證證書(shū)

: 質(zhì)量管理體系認(rèn)證證書(shū)

檢測(cè)設(shè)備

x-ray平臺(tái)
De-cap平臺(tái)
金相顯微鏡
高倍數(shù)字顯微鏡
Iv Curve Tracer
可焊性測(cè)試錫爐

X-ray平臺(tái)概述

此設(shè)備具有超大的載物測(cè)試平臺(tái),可以多角度進(jìn)行傾斜,觀察和探測(cè)拍照,精度高達(dá)3UM。用于IQC進(jìn)料無(wú)損檢及FA失效分析,可以比對(duì)標(biāo)準(zhǔn)樣品，檢測(cè)WAFER, BONDING和 LEADFRAME等內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
De-cap 平臺(tái)

多段式可調(diào)激光設(shè)置，激光功率10w（可調(diào)），開(kāi)封深度：0.01mm -30mm，對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)品進(jìn)行快速開(kāi)蓋分析,以觀察內(nèi)部 Wafer的結(jié)構(gòu)、Logo、形狀和版本, Bonding引出位置和材質(zhì),確定物料真?zhèn)危瑫r(shí)也可在失效分析中觀察Wafer損傷異常。
金相顯微鏡

多光源對(duì)物料進(jìn)行360度觀察，放大倍數(shù)可以達(dá)到1000倍用于QC進(jìn)料全外觀、絲印，定位孔進(jìn)行檢測(cè)，判定物料是否為翻新。
高倍數(shù)字顯微鏡

用于器件失效分析、 Decap輔助觀測(cè)、等可100-1000倍連續(xù)自動(dòng)變焦,鏡頭可傾斜至180度來(lái)觀察 Wafer內(nèi)部結(jié)構(gòu)和異常,超大景深和深度3D模型合成,并可以進(jìn)行遠(yuǎn)程測(cè)量各個(gè)位置尺寸和高度。
IV Curve Tracer

用于半導(dǎo)體失效分析,包括開(kāi)路/短路檢測(cè)，八曲線示蹤分析，漏電檢測(cè)等，可以幫助客戶快速定位失效位置，查找失效原因。
可焊性測(cè)試錫爐

按照J(rèn)ESD22-B102solderability可焊性標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)各種插件、貼片封裝的器件進(jìn)行可焊性測(cè)試。